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  • 一种镁掺杂钕钡铜氧大籽晶的制备方法

本发明公开了一种镁掺杂钕钡铜氧大籽晶的制备方法,由配制Nd1.6Ba2.3Cu3.3Ox前驱粉、压制前驱块、熔化生长Mg掺杂钕钡铜氧多畴块材、解理籽晶步骤组成。本发明仅使用Nd1.6Ba2.3Cu3.3Ox一种前驱粉即可成功制备Mg掺杂钕钡铜氧籽晶,方法简单,效率高。此外,本方法熔化生长的Mg掺杂钕钡铜氧多畴块材上含有尺寸达15mm的大畴区,因此可轻易解理下一系列尺寸达5mm×5mm的大籽晶,相比传统使用的小籽晶,其热稳定性更好,也能更容易控制被诱导块材生长时的取向一致性。

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-03-06

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  • 苯基双三唑化合物及其制备方法与应用
  • 苯基双三唑化合物及其制备方法与应用

本发明公开了一种苯基双三唑化合物及其制备方法与应用。其中1-[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]-1H-1,2,4-三氮唑单晶及其1-[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]-1H-1,2,4-三氮唑的制备方法,它是采用“一锅法”,即乙二胺,1H-1,2,4-三氮唑,碳酸钾,1,4-二碘苯,碘化亚铜加热来制备该有机化合物。本发明的制备方法具有工艺操作简单,生产成本低,环境污染小的特点,适合大规模的工业化生产。本发明制备的1-[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]-1H-1,2,4-三氮唑单晶可以用在光电材料特别是染料及发光剂方面的应用。

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-03-06

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  • 季戊四醇四三氮唑化合物及其制备方法与应用

本发明公开了一种1-(4-(3-(4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯氧基)-2,2-二((4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯氧基)甲基)丙基氧基)苯基)-1H-1,2,4-三氮唑的制备方法,它是采用“三步法”,即分别通过酯化反应合成四对甲苯磺酸季戊四醇酯、取代反应合成1-溴-4-(3-(4-溴苯氧基)-2,2-二((4-溴苯氧基)甲基)丙基氧基)苯,再采用“一锅法”得到1-(4-(3-(4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯氧基)-2,2-二((4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯氧基)甲基)丙基氧基)苯基)-1H-1,2,4-三氮唑。本发明的制备方法具有生产成本低,环境污染小的特点,适合大规模的工业化生产。本发明制备的单晶化合物可以用在光电材料特别是染料及发光剂方面的应用。

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-03-06

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  • 单畴(Gd/Y)-Ba-Cu-O超导块材的制备方法

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-03-06

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  • 用液相熔渗法制备单畴(Gd/Y)-Ba-Cu-O超导块材的方法

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-03-06

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  • 一种用于AlN晶体生长的籽晶
  • 一种用于AlN晶体生长的籽晶
  • 一种用于AlN晶体生长的籽晶
  • 一种用于AlN晶体生长的籽晶

一种用于AlN晶体生长的籽晶,它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体,采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片,或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜,以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大,杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-02-22

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  • 一种单晶硅生产用石墨加热器吊具
  • 一种单晶硅生产用石墨加热器吊具

本实用新型公开了一种单晶硅生产用石墨加热器吊具,属于单晶硅生产设备技术领域,吊具包括吊具本体,关键是:所述的吊具本体包括固定环、拉绳和连接块,固定环下端面沿圆周方向设置有一组夹杆,夹杆上端与固定环铰接,夹杆下端设置有拉紧杆,拉紧杆上端与夹杆铰接,所有拉紧杆的下端都与连接块铰接,连接块与固定环同轴设置,拉绳下端与连接块固定连接形成夹紧结构。不需要等着石墨加热器自然冷却即可将石墨加热器取出进行清理,省去了冷却时间,大大提高了生产效率,结构简单,操作方便快捷,省时省力。

分类:C:化学,冶金 发布日期:2017-02-16

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